عکس کاور خود را تغییر دهید
عکس کاور خود را تغییر دهید
مهندسی پزشکیاستادیار
وضعیت این حساب کاربری منتشر شده است

این کاربر هنوزاطلاعات پروفایل خود را بروز نکرده است.

اطلاعات بیشتر
دکتری
08138411463

زیست حسگرهای مجتمع، ادوات نیمه هادی، طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال

تالیفات
مقالات چاپ شده در نشریات داخلی و بین المللی

Research Communications:

1)  S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “A Physical Model for Threshold Voltage Instability in Si3N4-gate H+-sensitive FET’s (pH ISFET’s)”, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 45, No.6, pp. 1239-1245, June 1998.

2) S. Jamasb, “An Analytical Technique for Counteracting Drift in Ion-selective Field Effect Transistors (ISFET's)”, IEEE Sensors Journal, Vol. 4, No. 6. December, 2004.

3) S. Jamasb, S.D. Collins, and R.L. Smith, “A Physical Model for Drift in pH ISFETs”, Sensors and Actuators B: Chemical (49) (1-2) (1998) pp. 146-155.

4) M. Mazaheri , S. Jamasb, “Electrical transport in the superconducting and normal states in Y2Ba5Cu7Ox high-temperature superconductor”, Solid State Communications, 234-235(2016) 21–25.

5) S. Jamasb, “Kinetics of the Hydration Reaction at the Electrolyte-insulator Interface”, Surface Engineering and Applied Electrochemistry Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2017, Vol. 53, No. 1, pp. 59–63.

6) S. Jamasb, “Extension of the Neuronal Membrane Model to Account for Suppression of the Action Potential by a Constant Magnetic Field”, Biophysics, 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 428–433.

7) A.R. Reisi, M.H. Moradi, S. Jamasb, “Classification and comparison of maximum power point tracking techniques for photovoltaic systems: A review”, Renewable and Sustainable Energy Reviews, Volume 19, March 2013, pp. 433-443.

8) M. H. Moradi, M. Hajinazari, S. Jamasb, M. Paripour, “An energy management system (EMS) strategy for combined heat and power (CHP) systems based on a hybrid optimization method employing fuzzy programming”, Energy 49 (2013) 86-101.

9) S. Jamasb, “A Time-domain Method for Correction of Instability in Sensors Based on Field Effect

Transistors (FETs)”, International Journal of Circuits, Systems, and Signal Processing, vol. 10, 2016, 119-125.

10) S. Jamasb, “Biophysical basis for the mechanism of action potential initiation in presence of static magnetic fields”, International Journal of Biology and Biomedical Engineering, vol. 10, 2016, 80-86.

11) S. Jamasb, A. Wang, and Y. Chang, “Accurate Determination of the Series Emitter Resistance in Advanced Bipolar Transistors”, Samsung Semiconductor’s Technical Journal, vol. 5, pp. 83-86, 1990.

مقالات ارائه شده در کنفرانس ها و همایش ها

 

Conference Proceedings:

1)  S. Jamasb, R. Jalilizeinali, P. Chau, “A 622MHz Stand-alone LVDS Driver Pad in 0.18µm CMOS”, presented at the IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems, Fairborn, OH, August 2001.

2) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “A Physically-based Model for Drift in Al2O3-gate pH ISFET’s” presented at TRANSDUCERS ’97, International IEEE Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Chicago, IL, June 1997.

3) S. Jamasb, S.D. Collins, and R.L. Smith, “Correction of Instability in Ion-sensitive Field Effect Transistors (ISFET’s) for Accurate Continuous Monitoring of pH” presented at the International Conference of the IEEE/Engineering in Medicine and Biology Society, Chicago, IL, November 1997.

4) S. Jamasb, J. N. Churchill, S.D. Collins, R.L. Smith, “Accurate Continuous Monitoring Using ISFET-based Biosensors Based on Characterization and Modeling of Drift and Low Frequency Noise”, presented at the International Conference of the IEEE/Engineering in Medicine and Biology Society, Hong Kong, October 1998.

5) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “Determination of Low-frequency Noise Spectrum in Ion-sensitive Field Effect Transistors (ISFET’s) based on a Physical Model for Drift ”, presented at the International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems, Hilton Head Island, SC, March 2001.  

6) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “Characterization, Modeling, and Correction of Drift in Complementary pH ISFET’s”, presented at the International Electrochemical Society Conference, San Francisco, CA, September  2001.

7) S. Jamasb, "Fractal Analysis of EEG Signals for Diagnosis of Epilepsy: A Review", Proc. of the 1st International Epilepsy Congress, Mashhad, Iran, December 10-13 2010, p149.

8) S. Jamasb, "A Physically-informed Method for Signal Enhancement based on a Model for Long-term Instability (Drift)", Proc. of  3rd International Conf. on Signal Acquisition and Processing (ICSAP 2011),  Singapore, Feb. 26-28, 2011.

9) M. Moradpour, A. Ramezani, S. Jamasb, “Survey on ASIC Design of High-speed Photo Receiver Using the 0.18µm CMOS Technology”, Proc. of the 7th International Conference on Circuits, Systems, Signal, and Telecommunications (CSST’13), January 10, 2013, 17-19.

10) S. Jamasb, “Accurate Modeling of the Polysilicon-Insulator-Well (PIW) Capacitor in CMOS Technologies”, The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical, and Mechatronics Engineering, February 19, 2015.

11) S. Jamasb, “Biophysical Basis of the Suppression of Action Potential by Steady Magnetic Fields”, Proc. of the 6th International Conference on Bioscience and Bioinformatics (ICBB’15), Dubai, February 23, 2015, 101-104.

12) S. Jamasb, “Continuous Monitoring of pH using Ion-selective Field Effect Transistors (ISFET’s) Operating with a Fixed Bias Applied to the Reference Electrode”, Proc. of the 6th International Conference on Bioscience and Bioinformatics (ICBB’15), Dubai, February 23, 2015, 115-119.

13) S. Jamasb, “Kinetics of Chemical Ageing at the Electrolyte-insulator Interface”, Proc of the 2nd National Conference on Mathematics and its Applications in Engineering, Sciences, Jouybar, Iran, 14-15 May 2015.

14) B. Mohagheghi, S. Jamasb, M. Fouladian, “A CMOS Circuit Technique for Maintenance of the Common Mode Level in a Differential Output Driver”, Proc. of the International Conference on Science and Engineering, Dubai, UAE, December 1st 2015.

15) M. Nabi Zand, S. Jamab, “Analytical Correction of Threshold Voltage Drift in Ion-selective Field Effect Transistors (ISFETs)”, The Second National Conference on Developments in Civil Engineering, Architechture, Electrical Engineering, and Mechanical Engineering in Iran, Gorgan, Iran, December 17, 2015.

16) M. Rajabi, S. Jamab, “A Low-power, Compact, Dynamic D-type Flip-Flop for Implementation of the Digital Delay Line in a Decision Feedback Equalizer”, The Second National Conference on Developments in Civil Engineering, Architechture, Electrical Engineering, and Mechanical Engineering in Iran, Gorgan, Iran, December 17, 2015.

17) M. Nabi Zand, S. Jamasb, “Drift Counteraction in Ion-selective Field Effect Transistors by Adjusting the Charge in the Semiconductor”, Proc. of the International Conference in Electrical Engineering, Tehran University, Tehran, Iran, June 1st 2016.

18) شهریار جاماسب، " مدلی فیزیکی برای ناپایداری درازمدت در دیود نورگسیل از نوع آلی، OLED"، بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، 23 دی​ماه 1393، 649-652.

19) محمد نبی​زند، شهریار جاماسب،" تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن از طریق بهینه​سازی بار الکتریکی ذخیره شده در نیمرسانا"، دومین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری، برق و  مکانیک ایران، گرگان، 26 آذر 1394.

20) حامد ابراهیمی، شهریار جاماسب،" تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل "، سومین همایش ملی پژوهشهای کاربردی در برق، مکانیک، و مکاترونیک، تهران، 28-29 بهمن 1394.

21) علی الیاسی، شهریار جاماسب،"مروری برکاربرد ترانزیستورهای حساس به یون به عنوان حسگرهای بیولوژیکی"، دومین همایش ملی پژوهش​های کاربردی در مهندسی برق و کامپیوتر، ساوه، شهریور 1395.

22) علی الیاسی، شهریار جاماسب،" بیوسنسورISFET و روش های تصحیح ناپایداری ولتاژ آستانه"، دومین همایش ملی پژوهش​های کاربردی در مهندسی برق و کامپیوتر، ساوه، شهریور 1395.

اختراعات و اکتشافات
پایان نامه ها
  1. جبران​سازی ناپایداری (دریفت) در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن در زمان حقیقی با استفاده از تقویت کننده وارونگر، حامد ابراهیمی، 1395.
  2. مدار هایبرید تغییردهنده سطح سیگنال در حد واسط ابررسانا-نیمه رسانا، فرهاد عقیقی، 1395.
  3. فشرده​سازی داده​ها برای کاهش توان مصرفی در شبکه روی تراشه، شکوفه​السادات حسینی، 1395.
  4. مدیریت بافر جهت کاهش توان در  NOC با توجه به  پارامترهای ترافیکی داده، مسعود یدالهی ماهر، 1395.
سوابق
τβπ, national engineering honor society
πµε , mathematics honor society
این فایل حذف شده است.

1) سرپرست گروه مهندسی پزشکی،

مرداد 1394 - آذر 1396

2) عضویت در کمیته فنآوری تجهیزات پزشکی،

دانشگاه علوم پزشکی و خدمات بهداشتی درمانی همدان، معاونت تحقیقات و فنآوری،

آبان 1395 تا کنون.

دروس ارائه شده در ترم

دروس ارائه شده در نیمسال اول سال تحصیلی 97-1396

  1. مدارهای الکتریکی 1
  2. الکترونیک 2
  3. پالس تکنیک
  4. حسگرهای زیستی
  5. زبان تخصصی مهندسی پزشکی
  6. زبان تخصصی مهندسی برق

دروس ارائه شده در نیمسال دوم سال تحصیلی 97-1396

  1. الکترومغناطیس
  2. الکترونیک 1
  3. زبان تخصصی مهندسی پزشکی
  4. زبان تخصصی مهندسی برق
پیام برای دانشجویان

 
عکس کاور خود را تغییر دهید
عکس کاور خود را تغییر دهید
مهندسی پزشکیاستادیار
وضعیت این حساب کاربری منتشر شده است

این کاربر هنوزاطلاعات پروفایل خود را بروز نکرده است.

اطلاعات بیشتر
دکتری
08138411463

زیست حسگرهای مجتمع، ادوات نیمه هادی، طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال

تالیفات
مقالات چاپ شده در نشریات داخلی و بین المللی

Research Communications:

1)  S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “A Physical Model for Threshold Voltage Instability in Si3N4-gate H+-sensitive FET’s (pH ISFET’s)”, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 45, No.6, pp. 1239-1245, June 1998.

2) S. Jamasb, “An Analytical Technique for Counteracting Drift in Ion-selective Field Effect Transistors (ISFET's)”, IEEE Sensors Journal, Vol. 4, No. 6. December, 2004.

3) S. Jamasb, S.D. Collins, and R.L. Smith, “A Physical Model for Drift in pH ISFETs”, Sensors and Actuators B: Chemical (49) (1-2) (1998) pp. 146-155.

4) M. Mazaheri , S. Jamasb, “Electrical transport in the superconducting and normal states in Y2Ba5Cu7Ox high-temperature superconductor”, Solid State Communications, 234-235(2016) 21–25.

5) S. Jamasb, “Kinetics of the Hydration Reaction at the Electrolyte-insulator Interface”, Surface Engineering and Applied Electrochemistry Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2017, Vol. 53, No. 1, pp. 59–63.

6) S. Jamasb, “Extension of the Neuronal Membrane Model to Account for Suppression of the Action Potential by a Constant Magnetic Field”, Biophysics, 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 428–433.

7) A.R. Reisi, M.H. Moradi, S. Jamasb, “Classification and comparison of maximum power point tracking techniques for photovoltaic systems: A review”, Renewable and Sustainable Energy Reviews, Volume 19, March 2013, pp. 433-443.

8) M. H. Moradi, M. Hajinazari, S. Jamasb, M. Paripour, “An energy management system (EMS) strategy for combined heat and power (CHP) systems based on a hybrid optimization method employing fuzzy programming”, Energy 49 (2013) 86-101.

9) S. Jamasb, “A Time-domain Method for Correction of Instability in Sensors Based on Field Effect

Transistors (FETs)”, International Journal of Circuits, Systems, and Signal Processing, vol. 10, 2016, 119-125.

10) S. Jamasb, “Biophysical basis for the mechanism of action potential initiation in presence of static magnetic fields”, International Journal of Biology and Biomedical Engineering, vol. 10, 2016, 80-86.

11) S. Jamasb, A. Wang, and Y. Chang, “Accurate Determination of the Series Emitter Resistance in Advanced Bipolar Transistors”, Samsung Semiconductor’s Technical Journal, vol. 5, pp. 83-86, 1990.

مقالات ارائه شده در کنفرانس ها و همایش ها

 

Conference Proceedings:

1)  S. Jamasb, R. Jalilizeinali, P. Chau, “A 622MHz Stand-alone LVDS Driver Pad in 0.18µm CMOS”, presented at the IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems, Fairborn, OH, August 2001.

2) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “A Physically-based Model for Drift in Al2O3-gate pH ISFET’s” presented at TRANSDUCERS ’97, International IEEE Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Chicago, IL, June 1997.

3) S. Jamasb, S.D. Collins, and R.L. Smith, “Correction of Instability in Ion-sensitive Field Effect Transistors (ISFET’s) for Accurate Continuous Monitoring of pH” presented at the International Conference of the IEEE/Engineering in Medicine and Biology Society, Chicago, IL, November 1997.

4) S. Jamasb, J. N. Churchill, S.D. Collins, R.L. Smith, “Accurate Continuous Monitoring Using ISFET-based Biosensors Based on Characterization and Modeling of Drift and Low Frequency Noise”, presented at the International Conference of the IEEE/Engineering in Medicine and Biology Society, Hong Kong, October 1998.

5) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “Determination of Low-frequency Noise Spectrum in Ion-sensitive Field Effect Transistors (ISFET’s) based on a Physical Model for Drift ”, presented at the International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems, Hilton Head Island, SC, March 2001.  

6) S. Jamasb, S.D. Collins, R.L. Smith, “Characterization, Modeling, and Correction of Drift in Complementary pH ISFET’s”, presented at the International Electrochemical Society Conference, San Francisco, CA, September  2001.

7) S. Jamasb, "Fractal Analysis of EEG Signals for Diagnosis of Epilepsy: A Review", Proc. of the 1st International Epilepsy Congress, Mashhad, Iran, December 10-13 2010, p149.

8) S. Jamasb, "A Physically-informed Method for Signal Enhancement based on a Model for Long-term Instability (Drift)", Proc. of  3rd International Conf. on Signal Acquisition and Processing (ICSAP 2011),  Singapore, Feb. 26-28, 2011.

9) M. Moradpour, A. Ramezani, S. Jamasb, “Survey on ASIC Design of High-speed Photo Receiver Using the 0.18µm CMOS Technology”, Proc. of the 7th International Conference on Circuits, Systems, Signal, and Telecommunications (CSST’13), January 10, 2013, 17-19.

10) S. Jamasb, “Accurate Modeling of the Polysilicon-Insulator-Well (PIW) Capacitor in CMOS Technologies”, The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical, and Mechatronics Engineering, February 19, 2015.

11) S. Jamasb, “Biophysical Basis of the Suppression of Action Potential by Steady Magnetic Fields”, Proc. of the 6th International Conference on Bioscience and Bioinformatics (ICBB’15), Dubai, February 23, 2015, 101-104.

12) S. Jamasb, “Continuous Monitoring of pH using Ion-selective Field Effect Transistors (ISFET’s) Operating with a Fixed Bias Applied to the Reference Electrode”, Proc. of the 6th International Conference on Bioscience and Bioinformatics (ICBB’15), Dubai, February 23, 2015, 115-119.

13) S. Jamasb, “Kinetics of Chemical Ageing at the Electrolyte-insulator Interface”, Proc of the 2nd National Conference on Mathematics and its Applications in Engineering, Sciences, Jouybar, Iran, 14-15 May 2015.

14) B. Mohagheghi, S. Jamasb, M. Fouladian, “A CMOS Circuit Technique for Maintenance of the Common Mode Level in a Differential Output Driver”, Proc. of the International Conference on Science and Engineering, Dubai, UAE, December 1st 2015.

15) M. Nabi Zand, S. Jamab, “Analytical Correction of Threshold Voltage Drift in Ion-selective Field Effect Transistors (ISFETs)”, The Second National Conference on Developments in Civil Engineering, Architechture, Electrical Engineering, and Mechanical Engineering in Iran, Gorgan, Iran, December 17, 2015.

16) M. Rajabi, S. Jamab, “A Low-power, Compact, Dynamic D-type Flip-Flop for Implementation of the Digital Delay Line in a Decision Feedback Equalizer”, The Second National Conference on Developments in Civil Engineering, Architechture, Electrical Engineering, and Mechanical Engineering in Iran, Gorgan, Iran, December 17, 2015.

17) M. Nabi Zand, S. Jamasb, “Drift Counteraction in Ion-selective Field Effect Transistors by Adjusting the Charge in the Semiconductor”, Proc. of the International Conference in Electrical Engineering, Tehran University, Tehran, Iran, June 1st 2016.

18) شهریار جاماسب، " مدلی فیزیکی برای ناپایداری درازمدت در دیود نورگسیل از نوع آلی، OLED"، بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، 23 دی​ماه 1393، 649-652.

19) محمد نبی​زند، شهریار جاماسب،" تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن از طریق بهینه​سازی بار الکتریکی ذخیره شده در نیمرسانا"، دومین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری، برق و  مکانیک ایران، گرگان، 26 آذر 1394.

20) حامد ابراهیمی، شهریار جاماسب،" تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل "، سومین همایش ملی پژوهشهای کاربردی در برق، مکانیک، و مکاترونیک، تهران، 28-29 بهمن 1394.

21) علی الیاسی، شهریار جاماسب،"مروری برکاربرد ترانزیستورهای حساس به یون به عنوان حسگرهای بیولوژیکی"، دومین همایش ملی پژوهش​های کاربردی در مهندسی برق و کامپیوتر، ساوه، شهریور 1395.

22) علی الیاسی، شهریار جاماسب،" بیوسنسورISFET و روش های تصحیح ناپایداری ولتاژ آستانه"، دومین همایش ملی پژوهش​های کاربردی در مهندسی برق و کامپیوتر، ساوه، شهریور 1395.

اختراعات و اکتشافات
پایان نامه ها
  1. جبران​سازی ناپایداری (دریفت) در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن در زمان حقیقی با استفاده از تقویت کننده وارونگر، حامد ابراهیمی، 1395.
  2. مدار هایبرید تغییردهنده سطح سیگنال در حد واسط ابررسانا-نیمه رسانا، فرهاد عقیقی، 1395.
  3. فشرده​سازی داده​ها برای کاهش توان مصرفی در شبکه روی تراشه، شکوفه​السادات حسینی، 1395.
  4. مدیریت بافر جهت کاهش توان در  NOC با توجه به  پارامترهای ترافیکی داده، مسعود یدالهی ماهر، 1395.
سوابق
τβπ, national engineering honor society
πµε , mathematics honor society
این فایل حذف شده است.

1) سرپرست گروه مهندسی پزشکی،

مرداد 1394 - آذر 1396

2) عضویت در کمیته فنآوری تجهیزات پزشکی،

دانشگاه علوم پزشکی و خدمات بهداشتی درمانی همدان، معاونت تحقیقات و فنآوری،

آبان 1395 تا کنون.

دروس ارائه شده در ترم

دروس ارائه شده در نیمسال اول سال تحصیلی 97-1396

  1. مدارهای الکتریکی 1
  2. الکترونیک 2
  3. پالس تکنیک
  4. حسگرهای زیستی
  5. زبان تخصصی مهندسی پزشکی
  6. زبان تخصصی مهندسی برق

دروس ارائه شده در نیمسال دوم سال تحصیلی 97-1396

  1. الکترومغناطیس
  2. الکترونیک 1
  3. زبان تخصصی مهندسی پزشکی
  4. زبان تخصصی مهندسی برق
پیام برای دانشجویان